1.本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种to-247低热阻高速绝缘封装方法。
2.半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化、切筋和成型、电镀以及打印等工艺。典型的封装工艺流程为：划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印、切筋和成型、外观检查、成品测试包装出货。
3.国际标准的to-247封装为以金属散热背板为载体的单芯片或多芯片，三个引出管脚的功率封装，这种封装广泛使用于功率器件封装。但存在绝缘与低热阻，低寄生电容rlc三方面的互相牵制而限制了其应用。
5.本发明的目的在于提供一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，包括以下步骤：
7.s1：将一体化冲压出来的金属铜框架的散热片改成高导热系数的陶瓷片，陶瓷片覆金属后与框架原来的铜引脚通过焊接方式相连；
8.s2：在覆金属的陶瓷片上有若干个独立的覆金属岛，其上可以放置若干独立芯片，并使用焊接将芯片底面与覆金属层形成电气连接；
10.进一步的，上述to-247低热阻高速绝缘封装方法中，在上述s2中，所述芯片底面之间互相绝缘，并且所述芯片底面与封装后的散热底板绝缘。
11.进一步的，上述to-247低热阻高速绝缘封装方法中，在上述s2中，在独立覆金属岛上的所述芯片可以通过在封装内的互连线建立电气连接，用于减少在封装外互联的连接难度，降低电感，在高频应用中减少损耗和电气噪声。
12.进一步的，上述to-247低热阻高速绝缘封装方法中，在上述s3中，通过封装模具在管脚间增加凹槽，用于实现拉长爬电间隙。
13.进一步的，上述to-247低热阻高速绝缘封装方法中，在上述s1中，采用金属陶瓷复合结构为散热背板做主载体的防潮金属化低热阻封装。
14.进一步的，上述to-247低热阻高速绝缘封装方法中，在上述s1中，增加两个引出管脚，实现两个及以上非共金属底板芯片封装于单散热封装内。
16.1、本发明兼容现有的to-247的生产方式，提供两倍以上的封装密度，额外的特点
17.2、本发明使用to-247的封装外形可以适用于多数功率电路设计中，并且芯片任意管脚与散热基座绝缘，在该器件用于电子组装中可以省去用户现场垫绝缘材料的工序。
18.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
28.s1：将一体化冲压出来的金属铜框架的散热片改成高导热系数的陶瓷片，陶瓷片覆金属后与框架原来的铜引脚通过焊接方式相连；将金属散热底板为主载体的封装改良为采用金属陶瓷复合结构为散热背板做主载体的防潮金属化低热阻封装。在现有标准to-247三管腿引脚基础上增加两个引出管脚，实现两个及以上非共金属底板芯片封装于单散热封装内。
29.s2：在覆金属的陶瓷片上有若干个独立的覆金属岛，其上可以放置若干独立芯片，并使用焊接将芯片底面与覆金属层形成电气连接；芯片底面之间互相绝缘，并且芯片底面与封装后的散热底板绝缘。在独立覆金属岛上的芯片可以通过在封装内的互连线建立电气连接，用于减少在封装外互联的连接难度，降低电感，在高频应用中减少损耗和电气噪声。
30.s3：模封操作。通过封装模具在管脚间增加凹槽，用于实现拉长爬电间隙，满足ccc等安全绝缘标准要求。
31.本发明解决了在to-247封装中多芯片之间电气绝缘的问题，使非共阴/共阳的多芯片封装入一个单体内成为可能。解决了芯片与散热片/散热底板的电气绝缘问题。解决多个芯片封装时超过3个引出管脚的问题。解决了to-247封装的耐高压绝缘问题，可以使用于不超过3300v电压的应用中。解决了多芯片封装芯片之间的寄生参数问题，满足更高速开关应用需要并简化客户端设计。
32.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
33.以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
技术特征：1.一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：将一体化冲压出来的金属铜框架的散热片改成高导热系数的陶瓷片，陶瓷片覆金属后与框架原来的铜引脚通过焊接方式相连；s2：在覆金属的陶瓷片上有若干个独立的覆金属岛，其上可以放置若干独立芯片，并使用焊接将芯片底面与覆金属层形成电气连接；s3：模封操作。2.根据权利要求1所述的一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，其特征在于：在上述s2中，所述芯片底面之间互相绝缘，并且所述芯片底面与封装后的散热底板绝缘。3.根据权利要求1所述的一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，其特征在于：在上述s2中，在独立覆金属岛上的所述芯片可以通过在封装内的互连线建立电气连接，用于减少在封装外互联的连接难度，降低电感，在高频应用中减少损耗和电气噪声。4.根据权利要求1所述的一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，其特征在于：在上述s3中，通过封装模具在管脚间增加凹槽，用于实现拉长爬电间隙。5.根据权利要求1所述的一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，其特征在于：在上述s1中，采用金属陶瓷复合结构为散热背板做主载体的防潮金属化低热阻封装。6.根据权利要求1所述的一种to-247低热阻高速绝缘封装方法，其特征在于：在上述s1中，增加两个引出管脚，实现两个及以上非共金属底板芯片封装于单散热封装内。技术总结
本发明公开了半导体封装技术领域的一种To-247低热阻高速绝缘封装方法，包括以下步骤：将一体化冲压出来的金属铜框架的散热片改成高导热系数的陶瓷片，陶瓷片覆金属后与框架原来的铜引脚通过焊接方式相连；在覆金属的陶瓷片上有若干个独立的覆金属岛，其上可以放置若干独立芯片，并使用焊接将芯片底面与覆金属层形成电气连接；模封操作；本发明兼容现有的To-247的生产方式，提供两倍以上的封装密度，额外的特点包括安全绝缘，低热阻和低寄生参数，可以封装半桥模块，批量生产成本低，使用To-247的封装外形可以适用于多数功率电路设计中，并且芯片任意管脚与散热基座绝缘，在该器件用于电子组装中可以省去用户现场垫绝缘材料的工序。材料的工序。材料的工序。
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